Số sản phẩm của nhà sản xuất:
RN2507(TE85L,F)
Product Overview
Nhà sản xuất:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Số hiệu phần:
RN2507(TE85L,F)-DG
Mô tả:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
Mô tả chi tiết:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SMV
Hàng tồn kho:
15 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12891114
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
jYhn
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
RN2507(TE85L,F) Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Mạch transistor lưỡng cực, đã được định hướng trước
Nhà sản xuất
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại bóng bán dẫn
2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
100mA
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
50V
Điện trở - Đế (R1)
10kOhms
Điện trở - Đế phát (R2)
47kOhms
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
100nA (ICBO)
Tần số - Chuyển đổi
200MHz
Công suất - Tối đa
300mW
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói / Trường hợp
SC-74A, SOT-753
Gói thiết bị nhà cung cấp
SMV
Số sản phẩm cơ sở
RN2507
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
RN2507(TE85LF)DKR
RN2507(TE85LF)CT
RN2507(TE85LF)TR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
RoHS Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
RN4983,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN1911FETE85LF
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
RN4902,LF
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
