Số sản phẩm của nhà sản xuất:
SSM6J505NU,LF
Product Overview
Nhà sản xuất:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Số hiệu phần:
SSM6J505NU,LF-DG
Mô tả:
MOSFET P-CH 12V 12A 6UDFNB
Mô tả chi tiết:
P-Channel 12 V 12A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
Hàng tồn kho:
14700 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12889227
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
SSM6J505NU,LF Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
U-MOSVI
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
P-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
12 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
12A (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
1.2V, 4.5V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
12mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
1V @ 1mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
37.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Tối đa)
±6V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
2700 pF @ 10 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
1.25W (Ta)
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
6-UDFNB (2x2)
Gói / Trường hợp
6-WDFN Exposed Pad
Số sản phẩm cơ sở
SSM6J505
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
SSM6J505NU,LF(T
SSM6J505NU,LF(B
SSM6J505NULFDKR
SSM6J505NULF
SSM6J505NULFCT
SSM6J505NULFTR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
SSM3J56ACT,L3F
MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3
SSM3K01T(TE85L,F)
MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM
SSM3K56MFV,L3F
MOSFET N-CH 20V 800MA VESM
