Số sản phẩm của nhà sản xuất:
TK19A45D(STA4,Q,M)
Product Overview
Nhà sản xuất:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Số hiệu phần:
TK19A45D(STA4,Q,M)-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 450V 19A TO220SIS
Mô tả chi tiết:
N-Channel 450 V 19A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Hàng tồn kho:
47 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12889085
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
xId4
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
TK19A45D(STA4,Q,M) Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Đóng gói
Tube
Loạt
π-MOSVII
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
450 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
19A (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
250mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 1mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±30V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
2600 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
50W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-220SIS
Gói / Trường hợp
TO-220-3 Full Pack
Số sản phẩm cơ sở
TK19A45
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
50
Tên khác
TK19A45DSTA4QM
TK19A45D(STA4QM)
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
STF16N50M2
NHÀ SẢN XUẤT
STMicroelectronics
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
726
DiGi SỐ PHẦN
STF16N50M2-DG
ĐƠN GIÁ
1.71
Loại thay thế
Similar
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
SSM3K335R,LF
MOSFET N CH 30V 6A SOT-23F
TK6A65W,S5X
MOSFET N-CH 650V 5.8A TO220SIS
SSM6J207FE,LF
MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6
