Số sản phẩm của nhà sản xuất:
TK1K9A60F,S4X
Product Overview
Nhà sản xuất:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Số hiệu phần:
TK1K9A60F,S4X-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS
Mô tả chi tiết:
N-Channel 600 V 3.7A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Hàng tồn kho:
12891425
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
TK1K9A60F,S4X Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Đóng gói
Tube
Loạt
U-MOSIX
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
600 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
3.7A (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
1.9Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 400µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±30V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
490 pF @ 300 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
30W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
150°C
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-220SIS
Gói / Trường hợp
TO-220-3 Full Pack
Số sản phẩm cơ sở
TK1K9A60
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
50
Tên khác
TK1K9A60FS4X(S
TK1K9A60F,S4X(S
TK1K9A60FS4X
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
STP5NK80ZFP
NHÀ SẢN XUẤT
STMicroelectronics
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
943
DiGi SỐ PHẦN
STP5NK80ZFP-DG
ĐƠN GIÁ
1.03
Loại thay thế
Similar
SỐ PHẦN
FCPF2250N80Z
NHÀ SẢN XUẤT
Fairchild Semiconductor
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
360
DiGi SỐ PHẦN
FCPF2250N80Z-DG
ĐƠN GIÁ
1.39
Loại thay thế
Similar
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
TPCC8065-H,LQ(S
MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON
TJ10S04M3L(T6L1,NQ
MOSFET P-CH 40V 10A DPAK
TK16E60W5,S1VX
MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220
