Số sản phẩm của nhà sản xuất:
TK3A65DA(STA4,QM)
Product Overview
Nhà sản xuất:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Số hiệu phần:
TK3A65DA(STA4,QM)-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 650V 2.5A TO220SIS
Mô tả chi tiết:
N-Channel 650 V 2.5A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Hàng tồn kho:
12890578
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
TK3A65DA(STA4,QM) Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Đóng gói
Tube
Loạt
π-MOSVII
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
650 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
2.5A (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
2.51Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4.4V @ 1mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±30V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
490 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
35W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-220SIS
Gói / Trường hợp
TO-220-3 Full Pack
Số sản phẩm cơ sở
TK3A65
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
50
Tên khác
TK3A65DA(STA4QM)
TK3A65DASTA4QM
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
TPN6R303NC,LQ
MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV
TPCA8026(TE12L,Q,M
MOSFET N-CH 30V 45A 8SOP
TK13A50D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 500V 13A TO220SIS
