Số sản phẩm của nhà sản xuất:
TK6Q60W,S1VQ
Product Overview
Nhà sản xuất:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Số hiệu phần:
TK6Q60W,S1VQ-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 600V 6.2A IPAK
Mô tả chi tiết:
N-Channel 600 V 6.2A (Ta) 60W (Tc) Through Hole I-Pak
Hàng tồn kho:
36 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12890251
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
TK6Q60W,S1VQ Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Đóng gói
Tube
Loạt
DTMOSIV
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
600 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
6.2A (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
820mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
3.7V @ 310µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±30V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
390 pF @ 300 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
60W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
I-PAK
Gói / Trường hợp
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Số sản phẩm cơ sở
TK6Q60
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
75
Tên khác
TK6Q60W,S1VQ(S
TK6Q60WS1VQ
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
TPCA8120,LQ(CM
MOSFET P-CH 30V 45A 8SOP
TK380P65Y,RQ
MOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK
SSM6K204FE,LF
MOSFET N-CH 20V 2A ES6
