Số sản phẩm của nhà sản xuất:
TK7A90E,S4X
Product Overview
Nhà sản xuất:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Số hiệu phần:
TK7A90E,S4X-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 900V 7A TO220SIS
Mô tả chi tiết:
N-Channel 900 V 7A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Hàng tồn kho:
95 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12891322
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
qyXL
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
TK7A90E,S4X Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Đóng gói
Tube
Loạt
π-MOSVIII
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
900 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
7A (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
2Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 700µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±30V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
1350 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
45W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-220SIS
Gói / Trường hợp
TO-220-3 Full Pack
Số sản phẩm cơ sở
TK7A90
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
50
Tên khác
TK7A90E,S4X(S
TK7A90ES4X
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
TK7E80W,S1X
MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220
TK11A50D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 500V 11A TO220SIS
SSM6J771G,LF
MOSFET P-CH 20V 5A 6WCSP
