Số sản phẩm của nhà sản xuất:
TK8A50DA(STA4,Q,M)
Product Overview
Nhà sản xuất:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Số hiệu phần:
TK8A50DA(STA4,Q,M)-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 500V 7.5A TO220SIS
Mô tả chi tiết:
N-Channel 500 V 7.5A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Hàng tồn kho:
38 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12889927
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
TK8A50DA(STA4,Q,M) Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Đóng gói
Tube
Loạt
π-MOSVII
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
500 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
7.5A (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
1.04Ohm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4.4V @ 1mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±30V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
700 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
35W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-220SIS
Gói / Trường hợp
TO-220-3 Full Pack
Số sản phẩm cơ sở
TK8A50
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
50
Tên khác
TK8A50DA(STA4QM)
TK8A50DASTA4QM
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
R5007FNX
NHÀ SẢN XUẤT
Rohm Semiconductor
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
212
DiGi SỐ PHẦN
R5007FNX-DG
ĐƠN GIÁ
1.02
Loại thay thế
Similar
SỐ PHẦN
IRFI840GLCPBF
NHÀ SẢN XUẤT
Vishay Siliconix
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
113
DiGi SỐ PHẦN
IRFI840GLCPBF-DG
ĐƠN GIÁ
1.25
Loại thay thế
Similar
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
TK60S06K3L(T6L1,NQ
MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
SSM3J64CTC,L3F
MOSFET P-CH 12V 1A CST3C
DMG1013UWQ-7
MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
