Số sản phẩm của nhà sản xuất:
TK9J90E,S1E
Product Overview
Nhà sản xuất:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Số hiệu phần:
TK9J90E,S1E-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 900V 9A TO3P
Mô tả chi tiết:
N-Channel 900 V 9A (Ta) 250W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Hàng tồn kho:
12890645
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
NyPl
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
TK9J90E,S1E Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Đóng gói
Tube
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
900 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
9A (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
1.3Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 900µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±30V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
2000 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
250W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-3P(N)
Gói / Trường hợp
TO-3P-3, SC-65-3
Số sản phẩm cơ sở
TK9J90
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
25
Tên khác
TK9J90E,S1E(S
TK9J90ES1E
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
TK9A65W,S5X
MOSFET N-CH 650V 9.3A TO220SIS
2SJ610(TE16L1,NQ)
MOSFET P-CH 250V 2A PW-MOLD
TPN2010FNH,L1Q
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
