Số sản phẩm của nhà sản xuất:
TPN3R704PL,L1Q
Product Overview
Nhà sản xuất:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Số hiệu phần:
TPN3R704PL,L1Q-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Mô tả chi tiết:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 630mW (Ta), 86W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Hàng tồn kho:
34211 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12891188
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
TPN3R704PL,L1Q Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
U-MOSIX-H
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
40 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
80A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
4.5V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
3.7mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
2.4V @ 200µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
2500 pF @ 20 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
630mW (Ta), 86W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
175°C
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Gói / Trường hợp
8-PowerVDFN
Số sản phẩm cơ sở
TPN3R704
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
5,000
Tên khác
TPN3R704PLL1QDKR
TPN3R704PLL1QTR
TPN3R704PLL1QCT
TPN3R704PL,L1Q(M
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
TK750A60F,S4X
MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
TK32A12N1,S4X
MOSFET N-CH 120V 32A TO220SIS
2SK2962(T6CANO,F,M
MOSFET N-CH TO92MOD