Số sản phẩm của nhà sản xuất:
TTA008B,Q
Product Overview
Nhà sản xuất:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Số hiệu phần:
TTA008B,Q-DG
Mô tả:
PB-F POWER TRANSISTOR TO-126 PC=
Mô tả chi tiết:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 2 A 100MHz 1.5 W Through Hole TO-126N
Hàng tồn kho:
112 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12988717
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
TTA008B,Q Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Transistor Bipolar Đơn
Nhà sản xuất
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Đóng gói
Tray
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại bóng bán dẫn
PNP
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
2 A
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
80 V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
500mV @ 100mA, 1A
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
100nA (ICBO)
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
100 @ 500mA, 2V
Công suất - Tối đa
1.5 W
Tần số - Chuyển đổi
100MHz
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói / Trường hợp
TO-225AA, TO-126-3
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-126N
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
250
Tên khác
264-TTA008B,Q-DG
264-TTA008B,Q
264-TTA008BQ
264-TTA008BQ-DG
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
TTD1409B,S4X
TRANS NPN DARL 400V 20UA TO220
BC817-25WHE3-TP
TRANS NPN 45V 0.5A SOT323
MMS9015HE3-H-TP
PNP TRANSISTORS, SOT-23
