Số sản phẩm của nhà sản xuất:
TTC0002(Q)
Product Overview
Nhà sản xuất:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Số hiệu phần:
TTC0002(Q)-DG
Mô tả:
TRANS NPN 160V 18A TO3P
Mô tả chi tiết:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 18 A 30MHz 180 W Through Hole TO-3P(L)
Hàng tồn kho:
63 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12890310
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
OPRH
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
TTC0002(Q) Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Transistor Bipolar Đơn
Nhà sản xuất
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Đóng gói
Bulk
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại bóng bán dẫn
NPN
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
18 A
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
160 V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
2V @ 900mA, 9A
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
1µA (ICBO)
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
80 @ 1A, 5V
Công suất - Tối đa
180 W
Tần số - Chuyển đổi
30MHz
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói / Trường hợp
TO-3PL
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-3P(L)
Số sản phẩm cơ sở
TTC0002
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
100
Tên khác
TTC0002Q
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
RoHS Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
MMBT3906FA-7B
TRANS PNP 40V 0.2A 3DFN
BC847C-7-F
TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
2SC3325-O(TE85L,F)
TRANS NPN 50V 0.5A SMINI
