Số sản phẩm của nhà sản xuất:
TPH3206PD
Product Overview
Nhà sản xuất:
Transphorm
DiGi Electronics Số hiệu phần:
TPH3206PD-DG
Mô tả:
GANFET N-CH 600V 17A TO220AB
Mô tả chi tiết:
N-Channel 600 V 17A (Tc) 96W (Tc) Through Hole TO-220AB
Hàng tồn kho:
68 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
13446880
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
TPH3206PD Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Transphorm
Đóng gói
Tube
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Not For New Designs
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
GaNFET (Gallium Nitride)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
600 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
17A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 8V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
2.6V @ 500µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
9.3 nC @ 4.5 V
Vgs (Tối đa)
±18V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
760 pF @ 480 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
96W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-220AB
Gói / Trường hợp
TO-220-3
Số sản phẩm cơ sở
TPH3206
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
50
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
RoHS Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
TP65H035WS
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
TPH3208PS
GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
TP65H050WS
GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
