Số sản phẩm của nhà sản xuất:
IRF830L
Product Overview
Nhà sản xuất:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Số hiệu phần:
IRF830L-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 500V 4.5A I2PAK
Mô tả chi tiết:
N-Channel 500 V 4.5A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Through Hole I2PAK
Hàng tồn kho:
12910897
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
IRF830L Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Vishay
Đóng gói
-
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
500 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
4.5A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
610 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
3.1W (Ta), 74W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
I2PAK
Gói / Trường hợp
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Số sản phẩm cơ sở
IRF830
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
50
Tên khác
*IRF830L
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
RoHS non-compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
IRF830LPBF
NHÀ SẢN XUẤT
Vishay Siliconix
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
0
DiGi SỐ PHẦN
IRF830LPBF-DG
ĐƠN GIÁ
0.99
Loại thay thế
Parametric Equivalent
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
IRF634
MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220AB
IRFZ24L
MOSFET N-CH 60V 17A TO262-3
IRLZ14STRLPBF
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK