Số sản phẩm của nhà sản xuất:
IRFB9N60APBF
Product Overview
Nhà sản xuất:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Số hiệu phần:
IRFB9N60APBF-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB
Mô tả chi tiết:
N-Channel 600 V 9.2A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
Hàng tồn kho:
2220 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12911765
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
IRFB9N60APBF Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Vishay
Đóng gói
Tube
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
600 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
9.2A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
750mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±30V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
1400 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
170W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-220AB
Gói / Trường hợp
TO-220-3
Số sản phẩm cơ sở
IRFB9N60
Tài liệu và Hồ sơ
Tài liệu dữ liệu
Bảng dữ liệu HTML
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
50
Tên khác
*IRFB9N60APBF
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
IRFI9640GPBF
MOSFET P-CH 200V 6.1A TO220-3
SI2333DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
IRFI830G
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220-3
