Số sản phẩm của nhà sản xuất:
SI4228DY-T1-GE3
Product Overview
Nhà sản xuất:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Số hiệu phần:
SI4228DY-T1-GE3-DG
Mô tả:
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
Mô tả chi tiết:
Mosfet Array 25V 8A 3.1W Surface Mount 8-SOIC
Hàng tồn kho:
3765 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12918133
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
SI4228DY-T1-GE3 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Mảng
Nhà sản xuất
Vishay
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
TrenchFET®
Tình trạng sản phẩm
Active
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Cấu hình
2 N-Channel (Dual)
Tính năng FET
Logic Level Gate
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
25V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
8A
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
18mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
1.4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
25nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
790pF @ 12.5V
Công suất - Tối đa
3.1W
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói / Trường hợp
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gói thiết bị nhà cung cấp
8-SOIC
Số sản phẩm cơ sở
SI4228
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
2,500
Tên khác
SI4228DY-T1-GE3CT
SI4228DYT1GE3
SI4228DY-T1-GE3TR
SI4228DY-T1-GE3DKR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
SI5903DC-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8
SI4501BDY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V/8V 12A 8SOIC
SI5944DU-T1-E3
MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK CHIPFET