Số sản phẩm của nhà sản xuất:
SIA917DJ-T1-GE3
Product Overview
Nhà sản xuất:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Số hiệu phần:
SIA917DJ-T1-GE3-DG
Mô tả:
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Mô tả chi tiết:
Mosfet Array 20V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Hàng tồn kho:
12920629
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
SIA917DJ-T1-GE3 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Mảng
Nhà sản xuất
Vishay
Đóng gói
-
Loạt
TrenchFET®
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Cấu hình
2 P-Channel (Dual)
Tính năng FET
Logic Level Gate
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
20V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
4.5A
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
110mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
1.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
9nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
250pF @ 10V
Công suất - Tối đa
6.5W
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói / Trường hợp
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Gói thiết bị nhà cung cấp
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Số sản phẩm cơ sở
SIA917
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
SIA917DJT1GE3
SIA917DJ-T1-GE3DKR
SIA917DJ-T1-GE3CT
SIA917DJ-T1-GE3TR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
NTLJD3115PT1G
NHÀ SẢN XUẤT
onsemi
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
14268
DiGi SỐ PHẦN
NTLJD3115PT1G-DG
ĐƠN GIÁ
0.20
Loại thay thế
MFR Recommended
SỐ PHẦN
FDMA1029PZ
NHÀ SẢN XUẤT
onsemi
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
8411
DiGi SỐ PHẦN
FDMA1029PZ-DG
ĐƠN GIÁ
0.26
Loại thay thế
MFR Recommended
SỐ PHẦN
SIA921EDJ-T1-GE3
NHÀ SẢN XUẤT
Vishay Siliconix
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
7568
DiGi SỐ PHẦN
SIA921EDJ-T1-GE3-DG
ĐƠN GIÁ
0.18
Loại thay thế
MFR Recommended
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
SI3993DV-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6TSOP
SQJ244EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
SISF20DN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 14A/52A PPAK 12
