Số sản phẩm của nhà sản xuất:
SIHB33N60ET1-GE3
Product Overview
Nhà sản xuất:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Số hiệu phần:
SIHB33N60ET1-GE3-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 600V 33A TO263
Mô tả chi tiết:
N-Channel 600 V 33A (Tc) 278W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Hàng tồn kho:
12787346
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
SIHB33N60ET1-GE3 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Vishay
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
E
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
600 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
33A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
99mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±30V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
3508 pF @ 100 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
278W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-263 (D2PAK)
Gói / Trường hợp
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Số sản phẩm cơ sở
SIHB33
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
800
Tên khác
SIHB33N60ET1-GE3-DG
SIHB33N60ET1-GE3TR
SIHB33N60ET1-GE3CT
SIHB33N60ET1-GE3DKR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
SUD80460E-GE3
MOSFET N-CH 150V 42A TO252AA
SIHA22N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 21A TO220
SIHG17N60D-E3
MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC
