SQ4410EY-T1_GE3
Số sản phẩm của nhà sản xuất:

SQ4410EY-T1_GE3

Product Overview

Nhà sản xuất:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Số hiệu phần:

SQ4410EY-T1_GE3-DG

Mô tả:

MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Mô tả chi tiết:
N-Channel 30 V 15A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Hàng tồn kho:

9733 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12920736
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI

SQ4410EY-T1_GE3 Thông số kỹ thuật

Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Vishay
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
TrenchFET®
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
30 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
15A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
4.5V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
12mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
2.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
2385 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
5W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
8-SOIC
Gói / Trường hợp
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Số sản phẩm cơ sở
SQ4410

Tài liệu và Hồ sơ

Bảng dữ liệu

Thông tin bổ sung

Gói tiêu chuẩn
2,500
Tên khác
SQ4410EY-T1-GE3-DG
SQ4410EY-T1-GE3
SQ4410EY-T1_GE3TR
SQ4410EY-T1_GE3DKR
SQ4410EY-T1_GE3CT
SQ4410EY-T1_GE3-DG

Phân loại Môi trường & Xuất khẩu

Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
vishay-siliconix

SIR800ADP-T1-RE3

MOSFET N-CH 20V 50.2A/177A PPAK

vishay-siliconix

SUM50P10-42-E3

MOSFET N-CH 100V 36A TO263

vishay-siliconix

SIHH180N60E-T1-GE3

MOSFET N-CH 600V 19A PPAK 8 X 8

onsemi

2SJ652-1E

MOSFET P-CH 60V 28A TO220F-3SG