Số sản phẩm của nhà sản xuất:
IRF740ASTRRPBF
Product Overview
Nhà sản xuất:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Số hiệu phần:
IRF740ASTRRPBF-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Mô tả chi tiết:
N-Channel 400 V 10A (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Hàng tồn kho:
13054291
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
IRF740ASTRRPBF Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Vishay
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Trạng thái bộ phận
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
400 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
10A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
550mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±30V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
1030 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
3.1W (Ta), 125W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-263 (D2PAK)
Gói / Trường hợp
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Số sản phẩm cơ sở
IRF740
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
800
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
STB11NK40ZT4
NHÀ SẢN XUẤT
STMicroelectronics
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
4196
DiGi SỐ PHẦN
STB11NK40ZT4-DG
ĐƠN GIÁ
0.99
Loại thay thế
MFR Recommended
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
SI4666DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 16.5A 8SO
IRFZ48R
MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
IRFP460LC
MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
