Số sản phẩm của nhà sản xuất:
DMN2015UFDE-7
Product Overview
Nhà sản xuất:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Số hiệu phần:
DMN2015UFDE-7-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
Mô tả chi tiết:
N-Channel 20 V 10.5A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
Hàng tồn kho:
2970 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12887954
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
DMN2015UFDE-7 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Diodes Incorporated
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
20 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
10.5A (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
1.5V, 4.5V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
11.6mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
1.1V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
45.6 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±12V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
1779 pF @ 10 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
660mW (Ta)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
U-DFN2020-6 (Type E)
Gói / Trường hợp
6-PowerUDFN
Số sản phẩm cơ sở
DMN2015
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
31-DMN2015UFDE-7TR
DMN2015UFDE-7DICT
31-DMN2015UFDE-7DKR
DMN2015UFDE-7-DG
31-DMN2015UFDE-7CT
DMN2015UFDE-7DIDKR
DMN2015UFDE-7DITR
DMN2015UFDE7
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
DMN2015UFDE-7
NHÀ SẢN XUẤT
Diodes Incorporated
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
2970
DiGi SỐ PHẦN
DMN2015UFDE-7-DG
ĐƠN GIÁ
0.14
Loại thay thế
Parametric Equivalent
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
DMN2300U-7
MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23
DMT2004UFDF-7
MOSFET N-CH 24V 14.1A 6UDFN
DMN2005UFGQ-7
MOSFET N-CH 20V 18A PWRDI3333