Số sản phẩm của nhà sản xuất:
DMN2026UVT-13
Product Overview
Nhà sản xuất:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Số hiệu phần:
DMN2026UVT-13-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
Mô tả chi tiết:
N-Channel 20 V 6.2A (Tc) 1.15W (Ta) Surface Mount TSOT-23-6
Hàng tồn kho:
12887712
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
DMN2026UVT-13 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Diodes Incorporated
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
20 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
6.2A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
2.5V, 4.5V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
1.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
18.4 nC @ 8 V
Vgs (Tối đa)
±10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
887 pF @ 10 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
1.15W (Ta)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
TSOT-23-6
Gói / Trường hợp
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Số sản phẩm cơ sở
DMN2026
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
10,000
Tên khác
DMN2026UVT-13DI
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
FDC637AN
NHÀ SẢN XUẤT
onsemi
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
12361
DiGi SỐ PHẦN
FDC637AN-DG
ĐƠN GIÁ
0.25
Loại thay thế
MFR Recommended
SỐ PHẦN
DMN2026UVT-7
NHÀ SẢN XUẤT
Diodes Incorporated
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
3000
DiGi SỐ PHẦN
DMN2026UVT-7-DG
ĐƠN GIÁ
0.10
Loại thay thế
Parametric Equivalent
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
ZXMN2F34MATA
MOSFET N-CH 20V 4A DFN322
DMN10H170SVTQ-7
MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
ZVN2110ASTOA
MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE
