Số sản phẩm của nhà sản xuất:
DMN31D5UFZ-7B
Product Overview
Nhà sản xuất:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Số hiệu phần:
DMN31D5UFZ-7B-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 30V 220MA 3DFN
Mô tả chi tiết:
N-Channel 30 V 220mA (Ta) 393mW (Ta) Surface Mount X2-DFN0606-3
Hàng tồn kho:
84446 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12888187
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
DMN31D5UFZ-7B Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Diodes Incorporated
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
30 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
220mA (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
1.2V, 4.5V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
1V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
0.35 nC @ 4.5 V
Vgs (Tối đa)
±12V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
22.2 pF @ 15 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
393mW (Ta)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
X2-DFN0606-3
Gói / Trường hợp
3-XFDFN
Số sản phẩm cơ sở
DMN31
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
10,000
Tên khác
DMN31D5UFZ-7BDIDKR
DMN31D5UFZ-7BDICT
DMN31D5UFZ-7BDITR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
DMT36M1LPS-13
MOSFET N-CH 30V 65A PWRDI5060-8
DMT6007LFG-13
MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333
DMT10H015SPS-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060