Số sản phẩm của nhà sản xuất:
DMP2005UFG-7
Product Overview
Nhà sản xuất:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Số hiệu phần:
DMP2005UFG-7-DG
Mô tả:
MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333
Mô tả chi tiết:
P-Channel 20 V 89A (Tc) 2.2W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Hàng tồn kho:
12883946
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
DMP2005UFG-7 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Diodes Incorporated
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
P-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
20 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
89A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
1.8V, 4.5V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
4mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
900mV @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
125 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
4670 pF @ 10 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
2.2W (Ta)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
PowerDI3333-8
Gói / Trường hợp
8-PowerVDFN
Số sản phẩm cơ sở
DMP2005
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
2,000
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
DMP2005UFG-13
NHÀ SẢN XUẤT
Diodes Incorporated
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
756
DiGi SỐ PHẦN
DMP2005UFG-13-DG
ĐƠN GIÁ
0.26
Loại thay thế
Parametric Equivalent
SỐ PHẦN
TPN4R712MD,L1Q
NHÀ SẢN XUẤT
Toshiba Semiconductor and Storage
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
7052
DiGi SỐ PHẦN
TPN4R712MD,L1Q-DG
ĐƠN GIÁ
0.25
Loại thay thế
MFR Recommended
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
BSS84-7
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
DMN3016LFDE-13
MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN
DMN10H220LVT-13
MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26
