Số sản phẩm của nhà sản xuất:
IPD90N06S4L06ATMA2
Product Overview
Nhà sản xuất:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Số hiệu phần:
IPD90N06S4L06ATMA2-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Mô tả chi tiết:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Hàng tồn kho:
3430 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12804675
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
IPD90N06S4L06ATMA2 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Infineon Technologies
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
OptiMOS™
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
60 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
90A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
4.5V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
6.3mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
2.2V @ 40µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±16V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
5680 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
79W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Lớp
Automotive
Trình độ chuyên môn
AEC-Q101
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
PG-TO252-3-11
Gói / Trường hợp
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Số sản phẩm cơ sở
IPD90
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Tài liệu dữ liệu
Bảng dữ liệu HTML
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
2,500
Tên khác
IPD90N06S4L06ATMA2-DG
448-IPD90N06S4L06ATMA2CT
SP001028682
448-IPD90N06S4L06ATMA2DKR
2156-IPD90N06S4L06ATMA2
INFINFIPD90N06S4L06ATMA2
448-IPD90N06S4L06ATMA2TR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
IRFH7187TRPBF
MOSFET N-CH 100V 18A/105A 8PQFN
IPB60R199CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 16A TO263-3
IRF1407STRLPBF
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK