Số sản phẩm của nhà sản xuất:
IRF5802TRPBF
Product Overview
Nhà sản xuất:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Số hiệu phần:
IRF5802TRPBF-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6
Mô tả chi tiết:
N-Channel 150 V 900mA (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Hàng tồn kho:
8278 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12804043
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
IRF5802TRPBF Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Infineon Technologies
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
HEXFET®
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
150 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
900mA (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 540mA, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
5.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
6.8 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±30V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
88 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
2W (Ta)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
Micro6™(TSOP-6)
Gói / Trường hợp
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Số sản phẩm cơ sở
IRF5802
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
IRF5802TRPBFTR
IRF5802TRPBF-DG
IRF5802TRPBFCT
SP001561828
IRF5802TRPBFDKR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
IRF2907ZS-7PPBF
MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK
IPA90R1K2C3XKSA1
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO220-FP
IRF6775MTRPBF
MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
