Số sản phẩm của nhà sản xuất:
IXFN100N50Q3
Product Overview
Nhà sản xuất:
IXYS
DiGi Electronics Số hiệu phần:
IXFN100N50Q3-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 500V 82A SOT227B
Mô tả chi tiết:
N-Channel 500 V 82A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Hàng tồn kho:
9 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12821189
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
RT5B
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
IXFN100N50Q3 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Littelfuse
Đóng gói
Tube
Loạt
HiPerFET™, Q3 Class
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
500 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
82A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
49mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
6.5V @ 8mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
255 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±30V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
13800 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
960W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Chassis Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
SOT-227B
Gói / Trường hợp
SOT-227-4, miniBLOC
Số sản phẩm cơ sở
IXFN100
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
10
Tên khác
-IXFN100N50Q3
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
IXFT32N100XHV
MOSFET N-CH 1000V 32A TO268HV
IXTH260N055T2
MOSFET N-CH 55V 260A TO247
IXFH50N85X
MOSFET N-CH 850V 50A TO247
