Số sản phẩm của nhà sản xuất:
IXTY26P10T
Product Overview
Nhà sản xuất:
IXYS
DiGi Electronics Số hiệu phần:
IXTY26P10T-DG
Mô tả:
MOSFET P-CH 100V 26A TO252
Mô tả chi tiết:
P-Channel 100 V 26A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Hàng tồn kho:
12821820
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
IXTY26P10T Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Littelfuse
Đóng gói
Tube
Loạt
TrenchP™
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
P-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
100 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
26A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
90mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±15V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
3820 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
150W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-252AA
Gói / Trường hợp
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Số sản phẩm cơ sở
IXTY26
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
70
Tên khác
-IXTY26P10T
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
IXFP8N50PM
MOSFET N-CH 500V 4.4A TO220AB
IXTR140P10T
MOSFET P-CH 100V 110A ISOPLUS247
IXFN44N100P
MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227B
