Số sản phẩm của nhà sản xuất:
2N5551CBU
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
2N5551CBU-DG
Mô tả:
TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Mô tả chi tiết:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 100MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Hàng tồn kho:
12834259
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
2N5551CBU Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Transistor Bipolar Đơn
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
-
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại bóng bán dẫn
NPN
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
600 mA
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
160 V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
50nA (ICBO)
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Công suất - Tối đa
625 mW
Tần số - Chuyển đổi
100MHz
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói / Trường hợp
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-92-3
Số sản phẩm cơ sở
2N5551
Tài liệu và Hồ sơ
Tài liệu dữ liệu
Bảng dữ liệu HTML
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
1,000
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
2N5551BU
NHÀ SẢN XUẤT
onsemi
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
404529
DiGi SỐ PHẦN
2N5551BU-DG
ĐƠN GIÁ
0.04
Loại thay thế
Parametric Equivalent
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
