Số sản phẩm của nhà sản xuất:
2N7000
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
2N7000-DG
Mô tả:
MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C
Mô tả chi tiết:
N-Channel 60 V 200mA (Ta) 400mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Hàng tồn kho:
24412 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12836533
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
2N7000 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Bulk
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
60 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
200mA (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
4.5V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
3V @ 1mA
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
50 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
400mW (Ta)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-92-3
Gói / Trường hợp
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Số sản phẩm cơ sở
2N7000
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
10,000
Tên khác
2N7000FS
2832-2N7000
2156-2N7000-OS
2N7000FS-NDR
FAIFSC2N7000
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
Not Applicable
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
3LN01SS-TL-H
MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP
FQP9N90C
MOSFET N-CH 900V 8A TO220-3
FQA13N50CF_F109
MOSFET N-CH 500V 15A TO3PN
