Số sản phẩm của nhà sản xuất:
2N7000TA
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
2N7000TA-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Mô tả chi tiết:
N-Channel 60 V 200mA (Tc) 400mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Hàng tồn kho:
12835714
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
2N7000TA Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Tape & Box (TB)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
60 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
200mA (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
4.5V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
3V @ 1mA
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
50 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
400mW (Ta)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-92-3
Gói / Trường hợp
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Số sản phẩm cơ sở
2N7000
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
2,000
Tên khác
2N7000TATB
2N7000TATR
2N7000TACT
2N7000TA_T
2N7000TA-DG
2N7000TATR-DG
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
Not Applicable
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
VN10LP
NHÀ SẢN XUẤT
Diodes Incorporated
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
5433
DiGi SỐ PHẦN
VN10LP-DG
ĐƠN GIÁ
0.26
Loại thay thế
Similar
SỐ PHẦN
VN10LPSTZ
NHÀ SẢN XUẤT
Diodes Incorporated
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
0
DiGi SỐ PHẦN
VN10LPSTZ-DG
ĐƠN GIÁ
0.27
Loại thay thế
Similar
SỐ PHẦN
2N7000
NHÀ SẢN XUẤT
Diotec Semiconductor
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
146004
DiGi SỐ PHẦN
2N7000-DG
ĐƠN GIÁ
0.03
Loại thay thế
Similar
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
2N7002T
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523F
2N7000RLRA
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
BFL4037-1E
MOSFET N-CH 500V 11A TO220F-3FS
