Số sản phẩm của nhà sản xuất:
BS107AG
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
BS107AG-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
Mô tả chi tiết:
N-Channel 200 V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92 (TO-226)
Hàng tồn kho:
12850136
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
BS107AG Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
-
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
200 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
250mA (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
6.4Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
3V @ 1mA
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
60 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
350mW (Ta)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-92 (TO-226)
Gói / Trường hợp
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Số sản phẩm cơ sở
BS107
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
1,000
Tên khác
BS107AGOS
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
BS107P
NHÀ SẢN XUẤT
Diodes Incorporated
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
1875
DiGi SỐ PHẦN
BS107P-DG
ĐƠN GIÁ
0.19
Loại thay thế
Similar
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
FQB34N20LTM
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
AO3160
MOSFET N-CH 600V 40MA SOT23-3
FQP3P20
MOSFET P-CH 200V 2.8A TO220-3
