Số sản phẩm của nhà sản xuất:
FDD86581-F085
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
FDD86581-F085-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
Mô tả chi tiết:
N-Channel 60 V 25A (Tc) 48.4W (Tj) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Hàng tồn kho:
9781 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12839637
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
FDD86581-F085 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
60 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
25A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
15mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
880 pF @ 30 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
48.4W (Tj)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-252 (DPAK)
Gói / Trường hợp
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Số sản phẩm cơ sở
FDD86581
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
2,500
Tên khác
FDD86581-F085-DG
FDD86581_F085-DG
FDD86581_F085
FDD86581-F085OSDKR
FDD86581-F085OSCT
FDD86581-F085OSTR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
NVMYS014N06CLTWG
NHÀ SẢN XUẤT
onsemi
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
7137
DiGi SỐ PHẦN
NVMYS014N06CLTWG-DG
ĐƠN GIÁ
0.31
Loại thay thế
MFR Recommended
SỐ PHẦN
IPD50N06S4L12ATMA2
NHÀ SẢN XUẤT
Infineon Technologies
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
17005
DiGi SỐ PHẦN
IPD50N06S4L12ATMA2-DG
ĐƠN GIÁ
0.40
Loại thay thế
Similar
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
MTD3055V
MOSFET N-CH 60V 12A TO252-3
FDS3612
MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
2SK302500L
MOSFET N-CH 60V 30A U-DL
