FDN336P
Số sản phẩm của nhà sản xuất:

FDN336P

Product Overview

Nhà sản xuất:

onsemi

DiGi Electronics Số hiệu phần:

FDN336P-DG

Mô tả:

MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Mô tả chi tiết:
P-Channel 20 V 1.3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Hàng tồn kho:

20283 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12847411
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI

FDN336P Thông số kỹ thuật

Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
PowerTrench®
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
P-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
20 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
1.3A (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
2.5V, 4.5V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
1.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
5 nC @ 4.5 V
Vgs (Tối đa)
±8V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
330 pF @ 10 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
500mW (Ta)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
SOT-23-3
Gói / Trường hợp
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Số sản phẩm cơ sở
FDN336

Tài liệu và Hồ sơ

Bảng dữ liệu
Tài liệu dữ liệu
Bảng dữ liệu HTML

Thông tin bổ sung

Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
FDN336PDKR
FDN336PCT
ONSFSCFDN336P
FDN336PTR
2156-FDN336P-OS
FDN336PCT-NDR
FDN336PTR-NDR

Phân loại Môi trường & Xuất khẩu

Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
onsemi

FQPF6P25

MOSFET P-CH 250V 4.2A TO220F

onsemi

FQU9N25TU

MOSFET N-CH 250V 7.4A IPAK

onsemi

FDD1600N10ALZ

MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252

onsemi

MMSF3P02HDR2

MOSFET P-CH 20V 5.6A 8SOIC