Số sản phẩm của nhà sản xuất:
FDS89161
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
FDS89161-DG
Mô tả:
MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
Mô tả chi tiết:
Mosfet Array 100V 2.7A 1.6W Surface Mount 8-SOIC
Hàng tồn kho:
22674 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12837663
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
FDS89161 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Mảng
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
PowerTrench®
Tình trạng sản phẩm
Active
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Cấu hình
2 N-Channel (Dual)
Tính năng FET
-
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
100V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
2.7A
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
105mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
4.1nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
210pF @ 50V
Công suất - Tối đa
1.6W
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói / Trường hợp
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gói thiết bị nhà cung cấp
8-SOIC
Số sản phẩm cơ sở
FDS89
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
2,500
Tên khác
FDS89161TR
FDS89161CT
FDS89161DKR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
FDC6301N_G
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6
FDG6308P
MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
FDME1034CZT
MOSFET N/P-CH 20V 3.8A 6MICROFET