Trang chủ
Sản phẩm
Nhà sản xuất
Giới thiệu DiGi
Liên hệ với chúng tôi
Blog và bài viết
Yêu cầu báo giá
Vietnam
Đăng nhập
Ngôn ngữ chọn lọc
Ngôn ngữ hiện tại của bạn:
Vietnam
Chuyển đổi:
Tiếng Anh
Châu Âu
Vương quốc Anh
Cộng hòa Dân chủ Congo
Argentina
Gà tây
Romania
Litva
Na Uy
Áo
Angola
Slovakia
ltaly
Phần Lan
Belarus
Bulgaria
Đan Mạch
Estonia
Ba Lan
Ukraina
Slovenia
Séc
Tiếng Hy Lạp
Croatia
Israel
Montenegro
Tiếng Nga
Bỉ
Thụy Điển
Serbia
Basque
Iceland
Bosnia
Tiếng Hung-ga-ri
Moldova
Đức
Hà Lan
Ireland
Châu Á / Thái Bình Dương
Trung Quốc
Việt Nam
Indonesia
Thái Lan
Lào
Philippines
Malaysia
Hàn Quốc
Nhật Bản
Hongkong
Đài Loan
Singapore
Pakistan
Ả Rập Xê Út
Qatar
Kuwait
Campuchia
Myanmar
Châu Phi, Ấn Độ và Trung Đông
Các Tiểu vương quốc Ả Rập Thống nhất
Tajikistan
Madagascar
Ấn Độ
Iran
Pháp
Nam Phi
Ai Cập
Kenya
Tanzania
Ghana
Sénégal
Maroc
Tunisia
Nam Mỹ / Châu Đại Dương
New Zealand
Bồ Đào Nha
Brasil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Tây Ban Nha
Paraguay
Úc
Bắc Mỹ
Hoa Kỳ
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Giới thiệu DiGi
Về Chúng Tôi
Về Chúng Tôi
Chứng Nhận Của Chúng Tôi
DiGi Giới thiệu
Tại sao DiGi
Chính sách
Chính sách chất lượng
Điều khoản sử dụng
Tuân thủ RoHS
Quy trình Trả hàng
Tài nguyên
Danh mục sản phẩm
Nhà sản xuất
Blog và bài viết
Dịch vụ
Bảo hành chất lượng
Cách Thanh Toán
Giao hàng toàn cầu
Giá vận chuyển
Câu hỏi thường gặp
Số sản phẩm của nhà sản xuất:
FQB6N80TM
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
FQB6N80TM-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK
Mô tả chi tiết:
N-Channel 800 V 5.8A (Tc) 3.13W (Ta), 158W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Hàng tồn kho:
Yêu cầu báo giá Trực tuyến
12835885
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
*
Công ty
*
Tên Liên Hệ
*
Điện thoại
*
E-mail
Địa chỉ giao hàng
Tin nhắn
(
*
) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
FQB6N80TM Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
-
Loạt
QFET®
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
800 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
5.8A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
1.95Ohm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±30V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
1500 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
3.13W (Ta), 158W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-263 (D2PAK)
Gói / Trường hợp
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Số sản phẩm cơ sở
FQB6N80
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
FQB6N80
Tài liệu dữ liệu
FQB6N80TM
Bảng dữ liệu HTML
FQB6N80TM-DG
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
800
Tên khác
FQB6N80TM-DG
FQB6N80TMTR
FQB6N80TMDKR
FQB6N80TMCT
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
STB7NK80ZT4
NHÀ SẢN XUẤT
STMicroelectronics
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
4410
DiGi SỐ PHẦN
STB7NK80ZT4-DG
ĐƠN GIÁ
1.21
Loại thay thế
Similar
SỐ PHẦN
STB9NK80Z
NHÀ SẢN XUẤT
STMicroelectronics
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
0
DiGi SỐ PHẦN
STB9NK80Z-DG
ĐƠN GIÁ
0.92
Loại thay thế
Similar
SỐ PHẦN
STB6NK90ZT4
NHÀ SẢN XUẤT
STMicroelectronics
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
0
DiGi SỐ PHẦN
STB6NK90ZT4-DG
ĐƠN GIÁ
1.32
Loại thay thế
Similar
SỐ PHẦN
FQB4N80TM
NHÀ SẢN XUẤT
onsemi
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
720
DiGi SỐ PHẦN
FQB4N80TM-DG
ĐƠN GIÁ
0.90
Loại thay thế
MFR Recommended
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
2SK4198LS
MOSFET N-CH 600V 5A TO220FI
FDV304P
MOSFET P-CH 25V 460MA SOT23
2V7002WT1G
MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
2SK3747
MOSFET N-CH 1500V 2A TO3PML