Số sản phẩm của nhà sản xuất:
FQD19N10LTM
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
FQD19N10LTM-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Mô tả chi tiết:
N-Channel 100 V 15.6A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Hàng tồn kho:
9224 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12848929
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
FQD19N10LTM Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
QFET®
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
100 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
15.6A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
5V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
100mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
2V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
18 nC @ 5 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
870 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-252AA
Gói / Trường hợp
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Số sản phẩm cơ sở
FQD19N10
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
2,500
Tên khác
ONSONSFQD19N10LTM
2156-FQD19N10LTM-OS
FQD19N10LTMCT
FQD19N10LTM-DG
FQD19N10LTMTR
FQD19N10LTMDKR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
AOD4132
MOSFET N-CH 30V 85A TO252
FCH041N65EF-F155
MOSFET N-CH 650V 76A TO247
BSO200N03S
MOSFET N-CH 30V 7A 8DSO
