FQD19N10LTM
Số sản phẩm của nhà sản xuất:

FQD19N10LTM

Product Overview

Nhà sản xuất:

onsemi

DiGi Electronics Số hiệu phần:

FQD19N10LTM-DG

Mô tả:

MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Mô tả chi tiết:
N-Channel 100 V 15.6A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Hàng tồn kho:

9224 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12848929
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI

FQD19N10LTM Thông số kỹ thuật

Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
QFET®
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
100 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
15.6A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
5V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
100mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
2V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
18 nC @ 5 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
870 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-252AA
Gói / Trường hợp
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Số sản phẩm cơ sở
FQD19N10

Tài liệu và Hồ sơ

Bảng dữ liệu

Thông tin bổ sung

Gói tiêu chuẩn
2,500
Tên khác
ONSONSFQD19N10LTM
2156-FQD19N10LTM-OS
FQD19N10LTMCT
FQD19N10LTM-DG
FQD19N10LTMTR
FQD19N10LTMDKR

Phân loại Môi trường & Xuất khẩu

Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
alpha-and-omega-semiconductor

AOD4132

MOSFET N-CH 30V 85A TO252

onsemi

FCH041N65EF-F155

MOSFET N-CH 650V 76A TO247

infineon-technologies

BSO200N03S

MOSFET N-CH 30V 7A 8DSO

onsemi

FQP2N60

MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220-3