Số sản phẩm của nhà sản xuất:
FQD4P25TF
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
FQD4P25TF-DG
Mô tả:
MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
Mô tả chi tiết:
P-Channel 250 V 3.1A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Hàng tồn kho:
12850408
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
FQD4P25TF Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
-
Loạt
QFET®
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại FET
P-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
250 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
3.1A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
2.1Ohm @ 1.55A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±30V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
420 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
2.5W (Ta), 45W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-252AA
Gói / Trường hợp
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Số sản phẩm cơ sở
FQD4
Tài liệu và Hồ sơ
Tài liệu dữ liệu
Bảng dữ liệu HTML
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
2,000
Tên khác
Q1585607A
FQD4P25TF-NDR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
FQPF10N60C_F105
MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220F
FDD6670AS
MOSFET N-CH 30V 76A TO252
FQB2N90TM
MOSFET N-CH 900V 2.2A D2PAK
