Số sản phẩm của nhà sản xuất:
NVJS3151PT1G
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
NVJS3151PT1G-DG
Mô tả:
MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88
Mô tả chi tiết:
P-Channel 12 V 2.7A (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Hàng tồn kho:
12857623
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
NVJS3151PT1G Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
-
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại FET
P-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
12 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
2.7A (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
1.8V, 4.5V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
1.2V @ 100µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
8.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Tối đa)
±12V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
850 pF @ 12 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
625mW (Ta)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Lớp
Automotive
Trình độ chuyên môn
AEC-Q101
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
SC-88/SC70-6/SOT-363
Gói / Trường hợp
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Số sản phẩm cơ sở
NVJS31
Tài liệu và Hồ sơ
Tài liệu dữ liệu
Bảng dữ liệu HTML
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
2156-NVJS3151PT1G-OS
ONSONSNVJS3151PT1G
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
NTJS3151PT1G
NHÀ SẢN XUẤT
onsemi
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
10336
DiGi SỐ PHẦN
NTJS3151PT1G-DG
ĐƠN GIÁ
0.10
Loại thay thế
Parametric Equivalent
SỐ PHẦN
NTJS3151PT2G
NHÀ SẢN XUẤT
onsemi
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
2987
DiGi SỐ PHẦN
NTJS3151PT2G-DG
ĐƠN GIÁ
0.10
Loại thay thế
Parametric Equivalent
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
RFD3055LESM9A
MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA
NDS8425
MOSFET N-CH 20V 7.4A 8SOIC
NVD4856NT4G
MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A DPAK
