Số sản phẩm của nhà sản xuất:
DTD113ZUT106
Product Overview
Nhà sản xuất:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Số hiệu phần:
DTD113ZUT106-DG
Mô tả:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A UMT3
Mô tả chi tiết:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount UMT3
Hàng tồn kho:
6838 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
13523916
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
DTD113ZUT106 Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Transistor Bipolar Định Sẵn Đơn
Nhà sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại bóng bán dẫn
NPN - Pre-Biased
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
500 mA
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
50 V
Điện trở - Đế (R1)
1 kOhms
Điện trở - Đế phát (R2)
10 kOhms
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
82 @ 50mA, 5V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
500nA
Tần số - Chuyển đổi
200 MHz
Công suất - Tối đa
200 mW
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói / Trường hợp
SC-70, SOT-323
Gói thiết bị nhà cung cấp
UMT3
Số sản phẩm cơ sở
DTD113
Tài liệu và Hồ sơ
Tài nguyên thiết kế
Tài liệu về độ tin cậy
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
DTD113ZUT106DKR
DTD113ZUT106TR
DTD113ZUT106CT
DTD113ZUT106-ND
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
DTC024EMT2L
TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
DTB123YCT116
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A SST3
DTD713ZMT2L
TRANS PREBIAS NPN 30V 0.2A VMT3
