Số sản phẩm của nhà sản xuất:
EMZ2T2R
Product Overview
Nhà sản xuất:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Số hiệu phần:
EMZ2T2R-DG
Mô tả:
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6EMT
Mô tả chi tiết:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 180MHz, 140MHz 150mW Surface Mount EMT6
Hàng tồn kho:
13523910
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
EMZ2T2R Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Mạch r transistor hai cực
Nhà sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
-
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại bóng bán dẫn
NPN, PNP
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
150mA
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
50V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
100nA (ICBO)
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 6V
Công suất - Tối đa
150mW
Tần số - Chuyển đổi
180MHz, 140MHz
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói / Trường hợp
SOT-563, SOT-666
Gói thiết bị nhà cung cấp
EMT6
Số sản phẩm cơ sở
EMZ2T2
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
8,000
Tên khác
EMZ2T2R-ND
EMZ2T2RCT
EMZ2T2RTR
EMZ2T2RDKR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
HN1B04FE-Y,LF
NHÀ SẢN XUẤT
Toshiba Semiconductor and Storage
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
5
DiGi SỐ PHẦN
HN1B04FE-Y,LF-DG
ĐƠN GIÁ
0.03
Loại thay thế
Similar
SỐ PHẦN
EMZ1T2R
NHÀ SẢN XUẤT
Rohm Semiconductor
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
15718
DiGi SỐ PHẦN
EMZ1T2R-DG
ĐƠN GIÁ
0.08
Loại thay thế
Similar
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
