Số sản phẩm của nhà sản xuất:
R6011ENJTL
Product Overview
Nhà sản xuất:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Số hiệu phần:
R6011ENJTL-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 600V 11A LPTS
Mô tả chi tiết:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount LPTS
Hàng tồn kho:
13524473
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
R6011ENJTL Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
600 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
11A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
390mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 1mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
670 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
40W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
LPTS
Gói / Trường hợp
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Số sản phẩm cơ sở
R6011
Tài liệu và Hồ sơ
Tài nguyên thiết kế
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
1,000
Tên khác
R6011ENJTLCT
R6011ENJTLTR
R6011ENJTLDKR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
IXFA12N65X2
NHÀ SẢN XUẤT
IXYS
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
288
DiGi SỐ PHẦN
IXFA12N65X2-DG
ĐƠN GIÁ
1.82
Loại thay thế
Similar
SỐ PHẦN
IXFA22N60P3
NHÀ SẢN XUẤT
IXYS
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
0
DiGi SỐ PHẦN
IXFA22N60P3-DG
ĐƠN GIÁ
3.61
Loại thay thế
Similar
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
RU1E002SPTCL
MOSFET P-CH 30V 250MA UMT3F
RTF025N03FRATL
MOSFET N-CH 30V 2.5A TUMT3
RCJ330N25TL
MOSFET N-CH 250V 33A LPTS