Số sản phẩm của nhà sản xuất:
RCJ120N25TL
Product Overview
Nhà sản xuất:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Số hiệu phần:
RCJ120N25TL-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 250V 12A LPT
Mô tả chi tiết:
N-Channel 250 V 12A (Tc) 1.56W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount LPTS
Hàng tồn kho:
884 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
13080501
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
RCJ120N25TL Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Trạng thái bộ phận
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
250 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
12A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
235mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 1mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±30V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
1800 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
1.56W (Ta), 107W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
LPTS
Gói / Trường hợp
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Số sản phẩm cơ sở
RCJ120
Tài liệu và Hồ sơ
Tài nguyên thiết kế
Tài liệu về độ tin cậy
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
1,000
Tên khác
RCJ120N25TLTR
846-RCJ120N25TLTR
RCJ120N25TLDKR
RCJ120N25TLCT
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
RCJ120N25TL
NHÀ SẢN XUẤT
Rohm Semiconductor
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
884
DiGi SỐ PHẦN
RCJ120N25TL-DG
ĐƠN GIÁ
0.73
Loại thay thế
Parametric Equivalent
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
CMS02P06T6-HF
MOSFET P-CH 60V 2.4A SOT23-6
RTQ045N03HZGTR
MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
CMS40N03V8-HF
MOSFET N-CH 30V 25A/40A 8DFN
