Số sản phẩm của nhà sản xuất:
RS1E350BNTB1
Product Overview
Nhà sản xuất:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Số hiệu phần:
RS1E350BNTB1-DG
Mô tả:
NCH 30V 80A POWER MOSFET: RS1E35
Mô tả chi tiết:
N-Channel 30 V 35A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Hàng tồn kho:
2425 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12976072
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
RS1E350BNTB1 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
30 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
35A (Ta), 80A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
4.5V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
2.5V @ 1mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
185 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
7900 pF @ 15 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
3W (Ta), 35W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
8-HSOP
Gói / Trường hợp
8-PowerTDFN
Số sản phẩm cơ sở
RS1E
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
2,500
Tên khác
846-RS1E350BNTB1CT
846-RS1E350BNTB1DKR
846-RS1E350BNTB1TR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
RS1E350BNTB
NHÀ SẢN XUẤT
Rohm Semiconductor
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
810
DiGi SỐ PHẦN
RS1E350BNTB-DG
ĐƠN GIÁ
0.65
Loại thay thế
Parametric Equivalent
SỐ PHẦN
RS1E350BNTB1
NHÀ SẢN XUẤT
Rohm Semiconductor
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
2425
DiGi SỐ PHẦN
RS1E350BNTB1-DG
ĐƠN GIÁ
1.19
Loại thay thế
Parametric Equivalent
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
RSS060P05HZGTB
PCH -45V -6A POWER MOSFET: RSS06
RSS070N05HZGTB
AUTOMOTIVE NCH 45V 7A POWER MOSF
PSMNR90-50SLHAX
PSMNR90-50SLH/SOT1235/LFPAK88
