Số sản phẩm của nhà sản xuất:
2SC2235-Y(T6OMI,FM
Product Overview
Nhà sản xuất:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Số hiệu phần:
2SC2235-Y(T6OMI,FM-DG
Mô tả:
TRANS NPN 120V 0.8A TO92MOD
Mô tả chi tiết:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 800 mA 120MHz 900 mW Through Hole TO-92MOD
Hàng tồn kho:
12889844
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
2SC2235-Y(T6OMI,FM Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Transistor Bipolar Đơn
Nhà sản xuất
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Đóng gói
-
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại bóng bán dẫn
NPN
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
800 mA
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
120 V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
1V @ 50mA, 500mA
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
100nA (ICBO)
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
80 @ 100mA, 5V
Công suất - Tối đa
900 mW
Tần số - Chuyển đổi
120MHz
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói / Trường hợp
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-92MOD
Số sản phẩm cơ sở
2SC2235
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
1
Tên khác
2SC2235-Y(T6OMIFM
2SC2235YT6OMIFM
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
2SA2195,LF
TRANS PNP 50V 1.7A UFM
2SA1931,NIKKIQ(J
TRANS PNP 50V 5A TO220NIS
2SB1481(TOJS,Q,M)
TRANS PNP 100V 4A TO220NIS
