Số sản phẩm của nhà sản xuất:
HN1C03FU-B,LF
Product Overview
Nhà sản xuất:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Số hiệu phần:
HN1C03FU-B,LF-DG
Mô tả:
NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20
Mô tả chi tiết:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 20V 300mA 30MHz 200mW Surface Mount US6
Hàng tồn kho:
5728 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12890344
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
X5pb
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
HN1C03FU-B,LF Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Mạch r transistor hai cực
Nhà sản xuất
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại bóng bán dẫn
2 NPN (Dual)
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
300mA
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
20V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
100mV @ 3mA, 30A
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
100nA (ICBO)
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
350 @ 4mA, 2V
Công suất - Tối đa
200mW
Tần số - Chuyển đổi
30MHz
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói / Trường hợp
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gói thiết bị nhà cung cấp
US6
Số sản phẩm cơ sở
HN1C03
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
HN1C03FU-B,LF(B
HN1C03FU-B,LF(T
HN1C03FU-BLFDKR
HN1C03FU-BLFTR
HN1C03FU-BLFCT
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
ULN2803AFWG,C,EL
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SOL
HN1B04FE-GR,LF
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
TPC6901(TE85L,F,M)
TRANS NPN/PNP 50V 6VS
