Số sản phẩm của nhà sản xuất:
IRFIBF30GPBF
Product Overview
Nhà sản xuất:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Số hiệu phần:
IRFIBF30GPBF-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220-3
Mô tả chi tiết:
N-Channel 900 V 1.9A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220-3
Hàng tồn kho:
888 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
13054080
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
IRFIBF30GPBF Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Vishay
Đóng gói
Tube
Loạt
-
Đóng gói
Tube
Trạng thái bộ phận
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
900 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
1.9A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
3.7Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
1200 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
35W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-220-3
Gói / Trường hợp
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Số sản phẩm cơ sở
IRFIBF30
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
50
Tên khác
742-IRFIBF30GPBF
IRFIBF30GPBF-ND
*IRFIBF30GPBF
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
IRF530
MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
IRF740ASTRRPBF
MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
SI4666DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 16.5A 8SO