Số sản phẩm của nhà sản xuất:
BST82,215
Product Overview
Nhà sản xuất:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Số hiệu phần:
BST82,215-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 100V 190MA TO236AB
Mô tả chi tiết:
N-Channel 100 V 190mA (Ta) 830mW (Tc) Surface Mount TO-236AB
Hàng tồn kho:
47865 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12829235
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
BST82,215 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Nexperia
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
TrenchMOS™
Tình trạng sản phẩm
Not For New Designs
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
100 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
190mA (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
5V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
10Ohm @ 150mA, 5V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
2V @ 1mA
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
40 pF @ 10 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
830mW (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-65°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-236AB
Gói / Trường hợp
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Số sản phẩm cơ sở
BST82
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
5202-BST82,215TR
568-6229-6-DG
568-6229-2
568-6229-2-DG
BST82 T/R
568-6229-1
568-6229-1-DG
1727-4937-2
1727-4937-6
BST82,215-DG
1727-4937-1
BST82 T/R-DG
933733110215
568-6229-6
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
ZVN3310FTA
NHÀ SẢN XUẤT
Diodes Incorporated
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
6862
DiGi SỐ PHẦN
ZVN3310FTA-DG
ĐƠN GIÁ
0.19
Loại thay thế
Similar
SỐ PHẦN
BSS123LT1G
NHÀ SẢN XUẤT
onsemi
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
217861
DiGi SỐ PHẦN
BSS123LT1G-DG
ĐƠN GIÁ
0.03
Loại thay thế
Direct
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
PMV42ENER
MOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB
PSMN3R5-40YSDX
MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56
BUK7908-40AIE,127
MOSFET N-CH 40V 75A TO220-5
