Số sản phẩm của nhà sản xuất:
BST82,235
Product Overview
Nhà sản xuất:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Số hiệu phần:
BST82,235-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 100V 190MA TO236AB
Mô tả chi tiết:
N-Channel 100 V 190mA (Ta) 830mW (Tc) Surface Mount TO-236AB
Hàng tồn kho:
20973 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12831677
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
BST82,235 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Nexperia
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
TrenchMOS™
Tình trạng sản phẩm
Not For New Designs
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
100 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
190mA (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
5V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
10Ohm @ 150mA, 5V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
2V @ 1mA
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
40 pF @ 10 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
830mW (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-236AB
Gói / Trường hợp
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Số sản phẩm cơ sở
BST82
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
10,000
Tên khác
933733110235
1727-BST82,235TR
5202-BST82,235TR
BST82,235-DG
1727-BST82,235CT
1727-BST82,235DKR
BST82 /T3-DG
BST82 /T3
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
ZVN3310FTA
NHÀ SẢN XUẤT
Diodes Incorporated
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
6862
DiGi SỐ PHẦN
ZVN3310FTA-DG
ĐƠN GIÁ
0.19
Loại thay thế
Similar
SỐ PHẦN
BSS123LT1G
NHÀ SẢN XUẤT
onsemi
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
217861
DiGi SỐ PHẦN
BSS123LT1G-DG
ĐƠN GIÁ
0.03
Loại thay thế
Similar
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
PHP18NQ10T,127
MOSFET N-CH 100V 18A TO220AB
BUK9275-100A,118
MOSFET N-CH 100V 21.7A DPAK
BUK96180-100A,118
MOSFET N-CH 100V 11A D2PAK
